Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD30N03S4L09ATMA1

Distribuie
  • 10,15lei

  • Fără TVA:8,53lei

  • 5 sau mai multe 5,72lei
  • 21 sau mai multe 4,02lei
  • 49 sau mai multe 3,80lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD30N03S4L09ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 42W

Curent drena: 30A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 30A
Incarcatura poarta 15nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±16V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha