Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD110N12N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122782
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD110N12N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 120V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 136W
Curent drena: 54A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent de drena in impuls | 300A |
| Curent drena | 54A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 11mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 120V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |