Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD082N10N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122779
-
13,15lei
- Fără TVA:11,05lei
-
- 5 sau mai multe 10,24lei
- 10 sau mai multe 9,28lei
- 23 sau mai multe 8,78lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD082N10N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 80A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 80A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.2mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |