Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD079N06L3GBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122778
-
5,81lei
- Fără TVA:4,88lei
-
- 5 sau mai multe 4,63lei
- 11 sau mai multe 3,27lei
- 61 sau mai multe 3,09lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD079N06L3GBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 79W
Curent drena: 50A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 50A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 7.9mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |