Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3-11, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD30N10S3L34ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3-11, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD30N10S3L34ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-TO252-3-11

Montare: SMD

Putere disipata: 57W

Curent drena: 20A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3-11
Curent de drena in impuls 120A
Curent drena 20A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 31mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha