Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-2R6
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122757
-
5,32lei
- Fără TVA:4,40lei
-
- 5 sau mai multe 4,56lei
- 25 sau mai multe 4,02lei
- 27 sau mai multe 3,56lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-2R6
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 75W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Incarcatura poarta | 55nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.6mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±16V |