Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R9
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122756
-
9,58lei
- Fără TVA:8,05lei
-
- 5 sau mai multe 8,53lei
- 14 sau mai multe 6,68lei
- 32 sau mai multe 6,31lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R9
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 100W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Incarcatura poarta | 81nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.9mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±16V |