Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R1

Distribuie
  • 9,66lei

  • Fără TVA:8,12lei

  • 5 sau mai multe 8,69lei
  • 13 sau mai multe 7,16lei
  • 30 sau mai multe 6,79lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 150W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 140nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±16V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha