Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC120N04S6L008ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122602
-
21,08lei
- Fără TVA:17,71lei
-
- 5 sau mai multe 19,60lei
- 6 sau mai multe 17,45lei
- 13 sau mai multe 16,51lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC120N04S6L008ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 150W
Curent drena: 120A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | logic level |
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent de drena in impuls | 480A |
Curent drena | 120A |
Incarcatura poarta | 20nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.8mΩ |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | ±16V |
Tip produs | Datalogger |