Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC120N04S6L008ATMA1

Distribuie
  • 21,08lei

  • Fără TVA:17,71lei

  • 5 sau mai multe 19,60lei
  • 6 sau mai multe 17,45lei
  • 13 sau mai multe 16,51lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC120N04S6L008ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 150W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Carcasa PG-TDSON-8
Curent de drena in impuls 480A
Curent drena 120A
Incarcatura poarta 20nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.8mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±16V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha