Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC600N25NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121956
-
18,52lei
- Fără TVA:15,56lei
-
- 3 sau mai multe 15,91lei
- 4 sau mai multe 10,70lei
- 19 sau mai multe 10,12lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC600N25NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 250V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 25A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 25A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 60mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 250V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |