Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC196N10NSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121947
-
6,01lei
- Fără TVA:4,97lei
-
- 5 sau mai multe 5,18lei
- 10 sau mai multe 3,48lei
- 59 sau mai multe 3,29lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC196N10NSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 45A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 45A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 19.6mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |