Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC160N10NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121943
-
3,68lei
- Fără TVA:3,04lei
-
- 15000 sau mai multe 3,62lei
- 20000 sau mai multe 3,55lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC160N10NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 60W
Curent drena: 42A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 42A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 16mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |