Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC160N10NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121943
-
10,02lei
- Fără TVA:8,42lei
-
- 5 sau mai multe 8,92lei
- 12 sau mai multe 7,08lei
- 28 sau mai multe 6,70lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC160N10NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 60W
Curent drena: 42A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 42A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 16mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |