Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC123N10LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121940
-
11,79lei
- Fără TVA:9,91lei
-
- 5 sau mai multe 5,32lei
- 38 sau mai multe 5,03lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC123N10LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 114W
Curent drena: 71A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 71A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 12.3mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |