Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC110N06NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121933
-
3,94lei
- Fără TVA:3,31lei
-
- 40 sau mai multe 2,36lei
- 93 sau mai multe 2,23lei
- 5000 sau mai multe 2,15lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC110N06NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 50A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 50A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 11mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |