Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC105N10LSFGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121931
-
18,48lei
- Fără TVA:15,53lei
-
- 4 sau mai multe 10,71lei
- 19 sau mai multe 10,14lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC105N10LSFGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 156W
Curent drena: 90A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 90A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.5mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |