Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N06LS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121930
-
9,47lei
- Fără TVA:7,83lei
-
- 10 sau mai multe 6,55lei
- 25 sau mai multe 5,74lei
- 39 sau mai multe 2,68lei
- Disponibilitate:În Stoc (2051 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N06LS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 36A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | logic level |
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent de drena in impuls | 200A |
| Curent drena | 36A |
| Incarcatura poarta | 45nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |