Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC097N06NSATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121925
-
7,05lei
- Fără TVA:5,93lei
-
- 5 sau mai multe 4,59lei
- 10 sau mai multe 4,11lei
- 42 sau mai multe 2,19lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC097N06NSATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 36W
Curent drena: 46A
Caracteristici
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent drena | 46A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 9.7mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |