Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC080N03LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121899
-
2,65lei
- Fără TVA:2,23lei
-
- 5 sau mai multe 1,56lei
- 25 sau mai multe 1,43lei
- 100 sau mai multe 1,43lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC080N03LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 35W
Curent drena: 43A
Caracteristici
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent drena | 43A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8mΩ |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |