Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC077N12NS3GATMA1

Distribuie
  • 15,01lei

  • Fără TVA:12,61lei

  • 3 sau mai multe 12,85lei
  • 4 sau mai multe 8,68lei
  • 23 sau mai multe 8,21lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC077N12NS3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 120V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 139W

Curent drena: 98A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 98A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 7.7mΩ
Tensiune drena-sursa 120V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha