Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018NE2LSATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121838
-
4,60lei
- Fără TVA:3,87lei
-
- 25 sau mai multe 3,77lei
- 28 sau mai multe 3,03lei
- 63 sau mai multe 2,87lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018NE2LSATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 69W
Curent drena: 29A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 29A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.8mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 25V |