Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121833
-
10,41lei
- Fără TVA:8,61lei
-
- 5 sau mai multe 8,72lei
- 16 sau mai multe 6,15lei
- 37 sau mai multe 5,81lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.6mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |