Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121833
-
10,02lei
- Fără TVA:8,42lei
-
- 5 sau mai multe 8,39lei
- 16 sau mai multe 5,89lei
- 36 sau mai multe 5,58lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 100A
Caracteristici
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent drena | 100A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.6mΩ |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |