Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R900P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122955
-
10,25lei
- Fără TVA:8,47lei
-
- 14 sau mai multe 6,92lei
- 33 sau mai multe 6,56lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R900P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 3.9A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 3.9A |
| Incarcatura poarta | 15nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.9Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |