Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R2K4P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122950
-
5,62lei
- Fără TVA:4,65lei
-
- 10 sau mai multe 4,40lei
- 42 sau mai multe 2,32lei
- 96 sau mai multe 2,20lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R2K4P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6.3W
Curent drena: 1.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 1.7A |
| Incarcatura poarta | 8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.4Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |