Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R1K4P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122948
-
7,11lei
- Fără TVA:5,87lei
-
- 10 sau mai multe 5,29lei
- 33 sau mai multe 2,96lei
- 76 sau mai multe 2,80lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2825 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R1K4P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 2.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 2.7A |
| Incarcatura poarta | 10nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |