Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R1K2P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122947
-
8,48lei
- Fără TVA:7,01lei
-
- 10 sau mai multe 5,74lei
- 28 sau mai multe 3,49lei
- 64 sau mai multe 3,30lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R1K2P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6.8W
Curent drena: 3.1A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 3.1A |
| Incarcatura poarta | 11nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |