Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R3K4CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122940
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R3K4CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 1.6A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent de drena in impuls | 3.9A |
| Curent drena | 1.6A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |