Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R360P7SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122939
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R360P7SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent de drena in impuls | 26A |
| Curent drena | 6A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 360mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |