Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R950CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122936
-
2,64lei
- Fără TVA:2,22lei
-
- 25 sau mai multe 2,38lei
- 49 sau mai multe 1,87lei
- 114 sau mai multe 1,77lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2806 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R950CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 4.2A
Caracteristici
Carcasa | PG-SOT223 |
Curent drena | 4.2A |
Incarcatura poarta | 10.5nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.95Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 500V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |