Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R950CEATMA1

Distribuie
  • 2,64lei

  • Fără TVA:2,22lei

  • 25 sau mai multe 2,38lei
  • 49 sau mai multe 1,87lei
  • 114 sau mai multe 1,77lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2806 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R950CEATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 4.2A

Caracteristici
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 4.2A
Incarcatura poarta 10.5nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.95Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha