STIMATI CLIENTI, VA INFORMAM CA IN PERIOADA 7-24 AUGUST 2025, MAGAZINUL VA FI INCHIS. COMENZILE INTRATE IN ACEASTA PERIOADA VOR FI PROCESATE SI EXPEDIATE INCEPAND CU 25 AUGUST 2025.

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R800CEATMA1

Distribuie
  • 4,34lei

  • Fără TVA:3,59lei

  • 5 sau mai multe 3,49lei
  • 25 sau mai multe 3,22lei
  • 62 sau mai multe 3,21lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2896 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R800CEATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 4.8A

Caracteristici
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 4.8A
Incarcatura poarta 12.4nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.8Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha