Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R650CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122934
-
10,70lei
- Fără TVA:8,99lei
-
- 5 sau mai multe 5,26lei
- 25 sau mai multe 4,12lei
- 26 sau mai multe 3,40lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R650CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 5.7A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 5.7A |
| Incarcatura poarta | 15nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.65Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |