Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R3K0CEATMA1

Distribuie
  • 3,79lei

  • Fără TVA:3,18lei

  • 25 sau mai multe 2,33lei
  • 54 sau mai multe 1,65lei
  • 124 sau mai multe 1,56lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R3K0CEATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 1.6A

Caracteristici
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 1.6A
Incarcatura poarta 4.3nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha