Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R2K0CEATMA1

Distribuie
  • 3,19lei

  • Fără TVA:2,68lei

  • 10 sau mai multe 2,52lei
  • 53 sau mai multe 1,75lei
  • 122 sau mai multe 1,66lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R2K0CEATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 2.3A

Caracteristici
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 2.3A
Incarcatura poarta 6nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha