Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R2K0CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122932
-
3,19lei
- Fără TVA:2,68lei
-
- 10 sau mai multe 2,52lei
- 53 sau mai multe 1,75lei
- 122 sau mai multe 1,66lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R2K0CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 2.3A
Caracteristici
Carcasa | PG-SOT223 |
Curent drena | 2.3A |
Incarcatura poarta | 6nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 500V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |