Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R2K0CEATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 2.3A

Caracteristici

Carcasa	PG-SOT223
Curent drena	2.3A
Incarcatura poarta	6nC
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	2Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	500V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare