Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT059N15N3ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122967
-
73,45lei
- Fără TVA:61,72lei
-
- 2 sau mai multe 51,55lei
- 5 sau mai multe 48,79lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT059N15N3ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 110A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 620A |
| Curent drena | 110A |
| Incarcatura poarta | 69nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 5.9mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 150V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |