Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT029N08N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122965
-
31,86lei
- Fără TVA:26,77lei
-
- 6 sau mai multe 17,07lei
- 13 sau mai multe 16,16lei
- 100 sau mai multe 15,90lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT029N08N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 120A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 676A |
| Curent drena | 120A |
| Incarcatura poarta | 70nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.9mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |