Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT015N10N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122962
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT015N10N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 243A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 1200A |
| Curent drena | 243A |
| Incarcatura poarta | 169nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |