Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUT200N08S5N023ATMA1

Distribuie
  • 15,72lei

  • Fără TVA:13,21lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUT200N08S5N023ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-HSOF-8

Montare: SMD

Putere disipata: 200W

Curent drena: 200A

Caracteristici
Carcasa PG-HSOF-8
Curent drena 200A
Incarcatura poarta 36nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.3mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha