Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-5, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUA200N04S5N010AUMA1

Distribuie
  • 17,15lei

  • Fără TVA:14,41lei

  • 5 sau mai multe 15,44lei
  • 8 sau mai multe 12,05lei
  • 18 sau mai multe 11,39lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-5, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUA200N04S5N010AUMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-HSOF-5

Montare: SMD

Putere disipata: 167W

Curent drena: 200A

Caracteristici
Carcasa PG-HSOF-5
Curent de drena in impuls 800A
Curent drena 200A
Incarcatura poarta 132nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha