Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R150G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122889
-
22,14lei
- Fără TVA:18,30lei
-
- 7 sau mai multe 14,79lei
- 16 sau mai multe 13,99lei
- 50 sau mai multe 13,80lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R150G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 95W
Curent drena: 16A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 45A |
| Curent drena | 16A |
| Incarcatura poarta | 23nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.15Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |