Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R102G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122887
-
31,18lei
- Fără TVA:26,20lei
-
- 5 sau mai multe 21,90lei
- 10 sau mai multe 20,72lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R102G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 139W
Curent drena: 23A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 66A |
| Curent drena | 23A |
| Incarcatura poarta | 34nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.102Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |