Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD6N60M2

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 60W

Curent drena: 2.9A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	18A
Curent drena	2.9A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	1200mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	650V
Tensiune poarta-sursa	±25V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare