Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD5NK60ZT4

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 90W

Curent drena: 3.16A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	20A
Curent drena	3.16A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	1600mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±30V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare