Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD95R2K0P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122882
-
5,56lei
- Fără TVA:4,67lei
-
- 5 sau mai multe 5,05lei
- 24 sau mai multe 3,94lei
- 54 sau mai multe 3,73lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD95R2K0P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 950V
Capsula: DPAK
Montare: SMD
Putere disipata: 37W
Curent drena: 2.4A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Carcasa | DPAK |
Curent drena | 2.4A |
Incarcatura poarta | 10nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2Ω |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 950V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |