Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG85G06A

Distribuie
  • 6,11lei

  • Fără TVA:5,13lei

  • 5 sau mai multe 3,43lei
  • 25 sau mai multe 2,98lei
  • 34 sau mai multe 2,41lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG85G06A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: DFN5060-8

Montare: SMD

Putere disipata: 105W

Curent drena: 54A

Caracteristici
Carcasa DFN5060-8
Curent de drena in impuls 390A
Curent drena 54A
Incarcatura poarta 66.1nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 4.5mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha