Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG80G06A

Distribuie
  • 6,68lei

  • Fără TVA:5,61lei

  • 5 sau mai multe 3,29lei
  • 25 sau mai multe 2,96lei
  • 39 sau mai multe 2,35lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (5791 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG80G06A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: DFN5060-8

Montare: SMD

Putere disipata: 38W

Curent drena: 50A

Caracteristici
Carcasa DFN5060-8
Curent de drena in impuls 320A
Curent drena 50A
Incarcatura poarta 67nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 5mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha