Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN2020MD-6, SOT1220, NEXPERIA - PMPB55ENEAX

  • Producător Nexperia
  • Cod produs:T123871
Distribuie
  • 4,02lei

  • Fără TVA:3,38lei

  • 10 sau mai multe 2,05lei
  • 68 sau mai multe 1,38lei
  • 158 sau mai multe 1,30lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN2020MD-6, SOT1220, NEXPERIA - PMPB55ENEAX

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: DFN2020MD-6, SOT1220

Montare: SMD

Putere disipata: 1.65W

Curent drena: 2.5A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa DFN2020MD-6, SOT1220
Curent de drena in impuls 16A
Curent drena 2.5A
Incarcatura poarta 12nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 106mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha