Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, STMicroelectronics - STB18N60DM2

Distribuie
  • 17,15lei

  • Fără TVA:14,41lei

  • 9 sau mai multe 10,78lei
  • 20 sau mai multe 10,18lei
  • 500 sau mai multe 9,60lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, STMicroelectronics - STB18N60DM2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: D2PAK

Montare: SMD

Putere disipata: 90W

Curent drena: 7.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa D2PAK
Curent drena 7.6A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 295mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±25V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha