Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, ON SEMICONDUCTOR - FDB13AN06A0

Distribuie
  • 12,33lei

  • Fără TVA:10,36lei

  • 5 sau mai multe 11,00lei
  • 10 sau mai multe 9,64lei
  • 23 sau mai multe 9,13lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (793 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, ON SEMICONDUCTOR - FDB13AN06A0

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: D2PAK

Montare: SMD

Putere disipata: 115W

Curent drena: 62A

Caracteristici
Carcasa D2PAK
Curent drena 62A
Incarcatura poarta 29nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 34mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha