Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R180C7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122712
-
17,01lei
- Fără TVA:14,30lei
-
- 9 sau mai multe 10,92lei
- 20 sau mai multe 10,34lei
- 250 sau mai multe 10,24lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (970 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R180C7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 68W
Curent drena: 8A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 8A |
Incarcatura poarta | 24nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.18Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |