Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R120P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122707
-
22,27lei
- Fără TVA:18,72lei
-
- 7 sau mai multe 14,53lei
- 15 sau mai multe 13,74lei
- 500 sau mai multe 12,96lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R120P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 95W
Curent drena: 16A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 16A |
Incarcatura poarta | 36nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.12Ω |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |